数据中心高速光引擎
数据中心400G DR4 / FR4硅光混合集成芯片
以硅基光电子技术为核心，基于CMOS工艺所研发的硅光芯片，具有高带宽、高速率、低能耗、低成本的优势。
特点
4通道4*100Gbps Mach-Zehnder硅基混合集成调制器
工作波段1290nm-1330nm
高带宽响应
低半波电压
低调制啁啾
小尺寸
性能指标/Parameter
光电性能
| 参数* | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
|---|---|---|---|---|
| 电光带宽¹ | GHz | 40 | 45 | 50 |
| 电回损¹ | dB | -20 | -15 | -10 |
| Vπ | V | - | 2.0 | 2.8 |
| RF端阻抗匹配 | Ω | - | 40 | - |
| 工作波长 | nm | 1290 | 1310 | 1330 |
| 耦合损耗² | dB | 8.0 | 10.0 | 11.0 |
| 片上损耗² | dB | 1.5 | 2.5 | 3.0 |
| 消光比 | dB | 18 | 22 | 25 |
| 光回损 | dB | -40 | -45 | - |
其它参数
| 耦合方式² ³ | 光栅耦合（根据客户需求，端面耦合） |
| 输入/输出光纤类型 | 1310nm 保偏光纤 |
| 芯片尺寸 | 15.9mm * 4.9mm |
| 芯片厚度 | 725+/-15 μm |
| 工作温度 | 0-50° |
¹ 采用高频探针测试带宽结果
² 目前采用的是光栅耦合，一分4方式整体链路插损耦合损耗15dB（+18dBm光源，出光+3dBm），独立4路方式链路插损8.5dB；
³ 根据客户需求可以采用端面耦合，一分4方式整体链路插损11.6dB（+18dBm光源，出光+6.4dBm），独立4路方式链路插损耦合损耗5.1dB；
