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数据中心1.6T DR8 硅光混合集成芯片
数据中心1.6T-DR8硅光子芯片
以硅基光电子技术为核心，基于CMOS工艺所研发的硅光子芯片，具有高带宽、高速率、低能耗、低成本的优势。
通过马赫曾德干涉仪实现相位调制到强度调制转换：基于马赫曾德干涉仪的低驱压、高带宽调制器（MZM）在电场影响下波导折射率发生变化，实现光的相位调制。
通过马赫曾德干涉仪实现相位调制到强度调制转换：基于马赫曾德干涉仪的低驱压、高带宽调制器（MZM）在电场影响下波导折射率发生变化，实现光的相位调制。
1.6T-DR8硅光子芯片
1.6T-DR8光引擎
芯片输入形式/Chip input method
● 1分8形式，即输入端通过两级3dB分束器将一路激光分成四路进入四个调制器中。
特性/Feature
● 8通道高性能MZM硅基异质集成调制器
● 工作波段1290-1330nm
● 高带宽 (>65 GHz)
● 低插损
● 低驱压
● 小尺寸
性能参数/Performance parameters
| 电光带宽 | 70GHz |
| 电回损 | -15dB |
| 耦合损耗 | 3dB |
| 片上损耗 | 9dB |
| 静态消光比 | 25dB |
| 动态消光比 | 5dB |
| Heater半波电压 | 3V |
| 调制器负载电阻 | 40Ω |
